성공 사례: 고체전자공학 포스트닥 연구원 NIW 승인

성공 사례: 고체전자공학 포스트닥 연구원 NIW 승인

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승인 통지일: 2013년 5월 14일 (승인 통지서 보기) 전공분야: 고체전자공학(Solid State Electronics) 신청서 접수 시 직업: 포스트닥 연구원 (Postdoctoral Researcher) 출생국가: 대만 서비스 센터: 네브라스카 (신청서 접수 당시 거주지: 오레곤 주) 신청서 처리 기간: 8개월

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이번 NIW 성공 사례의 주인공은 고체전자공학을 전공한 대만 태생의 포스트닥 연구원입니다. 신청인은 기계공학, 컴퓨터공학, 시스템 공학 등 다양한 분야를 아우르는 자신의 전문 지식과 기술을 포토닉스(photonics), 도파관(waveguides), 광학 및 고분자 연구에 응용하고 있습니다. 신청인의 이러한 연구는 주요 학술지에 발표된 17편의 상호 검토 논문, 한 차례의 언론 보도, 1건의 특허 출원, 17편의 학술회의 발표자료라는 성과를 낳기도 했습니다. Google Scholar 검색 결과에 따르면, 신청인의 논문은 전 세계의 연구가들에 의해 신청서 접수 당시 최소 110회 인용될 정도로 큰 영향력이 있습니다. 제3자 추천인 중 한 분은 신청인의 이러한 탁월한 연구 성과에 대해 다음과 같이 진술했습니다. “His research has made great strides in contribution to our understanding of the new mechanism that has pushed the performance of polymer modulators well beyond the state of the art.” 이처럼 우리 Chen 이민 법률 사무소에서 준비한 철저한 증거 서류와 설득력이 탄탄한 커버레터와 추천서 덕분에 이번 NIW 사례는 RFE(추가보충서류 요청) 없이 신청서 접수일로부터 8개월 후 승인되었습니다.

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Chen 이민 법률 사무소에서는 현재 100%에 가까운 신청서 승인 성공률을 유지하고 있습니다.**

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*2013년 6월 현재 Chen 이민 법률 사무소에서 접수한 NIW 케이스 전체 승인 성공률 98% (승인 보장 NIW 케이스의 승인 성공률 100%) *2013년 6월 현재 Chen 이민 법률 사무소에서 접수한 EB1 케이스 전체 승인 성공률 94% (승인 보장 EB1 케이스의 승인 성공률 99%)